您当前位置:阿里巴巴 > 电子网 电子资讯  > 正文

未来推动芯片尺寸微缩的五种技术

相关专题: 电子元器件
时间:2009-07-03 09:40 来源: 维库电子市场网

  IC尺寸微缩仍面临挑战。

  为了使芯片微缩,总是利用光刻技术来推动。然而近期Sematech在一次演讲中列举了可维持摩尔定律的其他一些技术。

  1. 零低k界面:在目前Intel的45nm设计中,采用硅衬底和高k金属栅。在硅与高k材料之间有低k材料。对于零低k界面,免去了低k材料,提高驱动电流并减少漏电。这是16nm节点的一种选择。

  2. 单金属栅堆叠:与传统晶体管相比,高k金属栅利用了单金属栅堆叠结构,这改善了晶体管性能,且降低了器件功耗。

  3. III-V族材料上栅堆叠:Intel、Sematech等已在讨论在未来设计中采用InGaAs/高k界面。这种方法也能改善性能降低功耗。

  4. 量子阱MOSFET:在硅上采用硅锗结构是改善性能的一种方法。Intel近期展示了一款高速低功耗量子阱场效应晶体管。这种P沟道结构将基于40nm InSb材料。

  5. 基于通孔硅技术的3D芯片:Sematech近期透露了建立基于通孔硅技术的300mm 3D芯片研发计划。

  • 您可能关注的“电子元器件”问答
  • 更多
“由于地址不明等原因,本网使用部分文字、摄影作品报酬未能及时支付,在此深表歉意,相关权利人可与中华版权代理总公司联系协助解决”。地址:北京市东城区安定门东大街28号雍和大厦西楼三层,邮编:100007,电话:010-68003887(转),传真:010-68003940    0

致富商机

金融服务

金融服务

无显示
资料查询: PDF资料 | 技术文章 | 行业标准 | 电子词典 | IC价格 |IC替换 | IC厂商 | ROHS指令 | 缩略语 | 元器件参数 | 实用工具 | 废电子资讯
分类资讯: 国内 | 国际 | 行情趋势 | 阿里报价 | 新品快讯 | 技术创新 | 行业动态 | 分析调查 | 统计 | 展会 | 政策 | 论坛 | 行业报告 | 导购
热门产品: 集成电路 | 继电器 | 连接器 | 电容器 | 传感器 | 变压器 | 电感器 | 逆变器 | 变频器 | 稳压器 | 放大器 | 整流器 | 二极管 | 更多>>>
news_web2215