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3-D存储器芯片堆栈标准化，有望替代DDR内

时间：2008-07-15 09:29     来源： 维库电子市场网       文字选择：大  中  小


　　Tezzaron Semiconductor Corp. (Naperville, Ill.)和Ziptronix, Inc. (Morrisville, N.C.)已着手开发采用IMIS端口的存储器芯片，预期将在2008年底推出首款产品。

　　Tezzaron公司CEO Robert Patti 称，“现在的高速处理器内核要求具有非常高带宽的3-D互连，现有的以及一定时间内的DDR存储器技术是不能满足这一要求的”。

　　通过堆栈存储器裸片和处理器，两者的“亲密连接“使每个引脚的功耗约为24微瓦，而DDR每个引脚的功耗为30-40毫瓦。依据IMIS的标准，处理器和存储器之间1,000个引脚并行连接的功耗被限制在低于3W，而传统的互连功耗超过了30W。

　　“我们相信IMIS解决了处理器制造商们要实现上G存储时的带宽问题，访问我们的DRAM的典型时间为7奈秒” ，Patti称，“我们接近了DRAM的密度和SRAM的速度并提供比DRAM有竞争力的成本。”

　　IMIS端口尺寸为450×2,000微米，含有一个19单元（高）×80单元（宽）的针脚栅格，每个单元面积为25平方微米。处理器制造商正调整他们的裸片，包括添加一个IMIS端口，用于兼容来自3D-IC联盟（3D-IC联盟目前有包括约6位成员）不同成员的存储器芯片。

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