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卓芯微电子推出双P沟道增强型场效应管

时间：2008-07-15 10:24     来源： 维库电子市场网       文字选择：大  中  小

　　卓芯微电子(InnovaSemi)推出双P沟道增强型场效应管产品RCR1565FB。P沟道增强型场效应管采用高密度DMOS生产工艺，具有极低的导通电阻，并且在低至1.8V的栅极电压下仍可正常开启。

　　RCR1565FB主要应用于基于TI平台的手机设计方案的充电线路，其基本电路如下图所示：    

　　电源管理器件通过控制栅极电压，达到控制两颗PMOS的开关频率的目的，PMOS中的寄生二极管可以防止VBAT电流倒灌。    

　　RCR1565FB具有以下特点：    

　　极小的导通电阻使器件在工作状态下产生极少的功率耗散，提高了能效；

　　采用DFN2×2封装(2.0×2.0×0.55mm)，节约PCB占板面积，其0.55mm的厚度更是有利于超薄机型设计；

　　在器件腹部增加了散热片，大幅提升器件额定功耗和散热能力，防止PCB热损伤，提升整机安全性。     

卓芯微电子推出双P沟道增强型场效应管

　　电源管理器件通过控制栅极电压，达到控制两颗PMOS的开关频率的目的，PMOS中的寄生二极管可以防止VBAT电流倒灌。    

　　RCR1565FB具有以下特点：    

　　极小的导通电阻使器件在工作状态下产生极少的功率耗散，提高了能效；

　　采用DFN2×2封装(2.0×2.0×0.55mm)，节约PCB占板面积，其0.55mm的厚度更是有利于超薄机型设计；

　　在器件腹部增加了散热片，大幅提升器件额定功耗和散热能力，防止PCB热损伤，提升整机安全性。     

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