您当前位置:阿里巴巴 > 电子网电子资讯  > 正文

意法半导体推出IGBT系列新品 有效改善设备

时间:2008-06-03 09:12     来源: 维库电子市场网       文字选择:    

  功率半导体业的意法半导体推出一系列创新的绝缘栅双极晶体管(IGBT),新系列产品采用高效的寿命控制工艺,有效降低关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT(包括STGxL6NC60D 600V PowerMESH),用于工作频率超过20kHz的照明镇流器等节能型电路内,应用的整体功率可望提高到一个新的水平,远胜标准技术的MOSFET。

  开关性能的改进容许设计工程师把IGBT用于以硬开关拓扑和谐振电路为特点的高度竞争力产品。新产品关断能耗降低,使用很小的缓冲电容器即可在低结温下工作,带来降低功耗、提高可靠性、缩小电路板空间等优点。

  在芯片的单位面积性能方面,ST的新IGBT技术远远胜于传统的MOSFET晶体管,有助于实现成本更加低廉的解决方案。新产品还有一个优点:封装内含有一个超快速软恢复二极管,保证新产品具有其它功率器件无法实现的高dV/dt抗扰性。新系列超高速IGBT的目标应用包括70W
-150W高频镇流器以及开关电源、功率因数控制器和其它的高频功率开关设备。

  • 关于“电子元器件”的资讯
  • 更多
  • 关于“电子元器件”的供求信息
  • 更多
  • 关于“电子元器件”的帮帮问答
  • 更多
本网转载作品均注明出处,如转载作品侵犯作者署名权,并非出于本网故意,在接到相关权利人通知后会加以更正。本网以“法定许可”方式使用作品的报酬,已委托中华版权代理总公司代为转付。请相关作者直接与中华版权代理总公司联系,联系电话为:010-68003887    0
股票查询:   更多>>
  • 招商广告
  • 金融服务

无显示

news_web12